Como a condutividade térmica do substrato de safira é fraca, afetando a eficiência luminosa do LED. A fim de resolver o problema do resfriamento LED, o futuro pode ser a estrutura principal da estrutura vertical do LED, a indústria LED para promover o desenvolvimento da tecnologia. Na estrutura vertical da tecnologia LED, acreditamos que ouvimos, a seguir, apenas a partir da superfície técnica da introdução, para referência.
Sabemos que os chips LED têm duas estruturas básicas, a estrutura lateral (Lateral) e a estrutura vertical (Vertical). Os dois eletrodos do chip LED de estrutura lateral estão no mesmo lado do chip LED e a corrente flui nas camadas de confinamento de tipo n e p em uma direção transversal. Os dois eletrodos do chip LED da estrutura vertical são usados como o segundo eletrodo em ambos os lados da camada epitaxial do LED, de modo que quase toda a corrente flui verticalmente através da camada epitaxial do LED devido ao eletrodo padronizado e a toda a p Capa de confinamento de tipo, da atual, pode melhorar a estrutura plana do problema de distribuição atual, melhorar a eficiência luminosa, mas também resolver o problema de sombreamento do pólo, melhorar a área de emissão de luz LED.
Primeiro entendemos a estrutura vertical da tecnologia de fabricação de LED e métodos básicos:
Fabricação de estrutura vertical A tecnologia de chip LED tem três métodos principais:
Primeiro, o uso do filme GaN de crescimento de substrato de carboneto de silício, a vantagem é a mesma condição operacional, atenuação da luz, longa vida, a falta de substrato de silício absorverá a luz.
Em segundo lugar, o uso de fabricação de tecnologia de encadernação e remoção de chips. A vantagem é a atenuação da luz, a longa vida, a falta de necessidade de lidar com a superfície LED para melhorar a eficiência luminosa.
Três é o uso de substratos heterogêneos, como o crescimento do substrato de silício, a camada epitaxial de nitreto de gálio, a vantagem é uma boa dissipação de calor, fácil processamento.
Existem duas maneiras básicas de fabricar uma estrutura vertical com chip LED: descascar o substrato cultivado e não remover o substrato cultivado. A estrutura vertical do chip LED baseado em GaP crescido no substrato de crescimento do arseneto de gálio tem duas estruturas:
Substrato de crescimento de arseneto de gálio condutor não decapador: depositar uma camada reflexiva DBR condutora sobre um substrato de crescimento de arseneto de gálio condutor, cultivando uma camada epitaxial LED baseada em GaP em uma camada reflexiva DBR condutora.
Substrato de crescimento de arseneto de gálio decapado: camada reflexiva laminada na camada epitaxial LED baseada em GaP, substrato de suporte condutor de ligação, revestimento de arseneto de gálio removível. O substrato de suporte condutor inclui um substrato de arseneto de gálio, um substrato de fosforeto de gálio, um substrato de silício, um metal, uma liga e semelhantes.
Além disso, os LEDs baseados em GaN verticais cultivados em silício possuem duas estruturas:
Não descasca o substrato de crescimento de silício: a camada reflectora de metal ou a camada reflexiva DBR condutora é laminada no substrato de crescimento de silício condutor e a camada epitaxial de LED à base de nitreto de gálio é cultivada na camada reflectora de metal ou na camada reflexiva DBR condutora .
Retire o substrato de crescimento de silício: camada reflectora de metal laminado Na camada epitaxial à base de nitruro de gálio, o substrato reflexivo condutor é ligado à camada reflectora de metal para descascar o substrato de crescimento de silício.
E, em seguida, uma descrição simples do fabrico de processo de LED baseado em nitruro de gálio vertical: camada reflexiva laminada na camada epitaxial à base de nitruro de gálio, no substrato de suporte condutor ligado à camada reflexiva, o substrato de crescimento de safira de remoção. O substrato de suporte condutor inclui um metal e um substrato de liga, um substrato de silício e semelhantes.
Se é um LED baseado em GaP, LED baseado em GaN ou LED baseado em ZnO, através deste tipo de estrutura vertical do LED, em comparação com a estrutura tradicional do LED tem uma maior vantagem, o desempenho específico:
1 . A corrente, toda a estrutura vertical existente da cor LED: LED vermelho, LED verde, LED azul e LED UV, podem ser feitas através da estrutura vertical do buraco LED tem um ótimo mercado de aplicações.
2. O processo de fabricação está no nível do chip (wafer).
3 .B, pois não há necessidade de jogar linha de ouro com a fonte de alimentação externa conectada ao uso da vertical através da estrutura vertical da redução da espessura da embalagem do chip LED. Portanto, ele pode ser usado para fabricar dispositivos ultrafinos, como backlighting.
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