Sob o apoio do "11 cinco anos" projeto nacional de 863 programa novos materiais, o projeto de equipe de inovação de "Altamente eficaz nitreto LED materiais e tecnologia de Chip" comprometeu-se pelo Instituto de semicondutores da Academia Chinesa de Ciências, através de radiação técnica e transferência, treinamento de pessoal e intercâmbio internacional e cooperação, etc., para alcançar a introdução de tecnologia avançada, digestão, absorção e então, inovação, reforçando assim o internacional competitividade da indústria de iluminação na China semicondutor e promover a implementação do projeto de iluminação de semicondutores da China. O assunto passou recentemente a aceitação.
"Materiais inovadores nitreto LED e chip de tecnologia-chave" inovação da equipe, na formação de pessoal e equipe de construção e outros aspectos de uma exploração positiva, através do reforço da gestão de equipe de inovação científica e tecnológica, o introdução de vários nacionais "milhares de pessoas plano", da Academia Chinesa de Ciências "plano de centenas de pessoas"e"Juventude destaque nacional"vencedor, treinados dezenas de jovens talentos, formados cem cruzes de disciplinas, com aresta de corte capacidade de exploração e de engenharia, industrial fundo do pessoal de iluminação de alto nível de semicondutores.
Para a demanda significativa por redução de conservação e de emissão de energia na China, a equipe inovadora "Nitreto LED materiais e Chip chave tecnologias inovadoras" construiu uma plataforma de processo de iluminação completa semicondutor flexível de semicondutores iluminação equipamentos principais, extensão material, chip desenvolvimento de embalagem de alta potência eficiente e análise, com uma pesquisa flexível e capacidades de desenvolvimento e engenharia de demonstração de recursos de teste.
A equipe de inovação também formou uma série de direitos de propriedade intelectual independentes com resultados de pesquisas importantes e desenvolveu as normas técnicas. Na China, o primeiro avanço no crescimento material epitaxiais de semicondutores baseados em nitreto e dopagem, chip de estrutura de design e mecanismo de validação, testes e embalagem e outras tecnologias-chave para alcançar mais, 150lm / w LED eficiência luminosa; com êxito preparado primeira 300nm da China seguintes temperatura fluorescente luz UV UVLED dispositivos, e alcançar os miliwatts de potência do dispositivo de saída; desenvolveu o protótipo MOCVD primeiro 48 na China, o terceiro teste, equipamento, extensão material de nitreto de gálio, os indicadores de desempenho para o nível de equipamento similar de MOCVD internacional.
Produtos quentes:Painel de luz ao ar livre,luzes pingente linear,Baía de alta potência 100W,lâmpada de armazém,Lâmpada linear fosco lente,Barra de LED iluminação linear suspenso
